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IRF640N 参数 Datasheet PDF下载

IRF640N图片预览
型号: IRF640N
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内容描述: 功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON) = 0.15ohm ,ID = 18A ) [Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A)]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 11 页 / 155 K
品牌: INFINEON [ Infineon ]
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IRF640N/S/L  
D2Pak Package Outline  
10.54 (.415)  
10.29 (.405)  
10.16 (.400)  
REF.  
- B -  
4.69 (.185)  
4.20 (.165)  
1.40 (.055)  
- A -  
1.32 (.052)  
1.22 (.048)  
M AX.  
2
6.47 (.255)  
6.18 (.243)  
1.78 (.070)  
1.27 (.050)  
15.49 (.610)  
14.73 (.580)  
2.79 (.110)  
2.29 (.090)  
1
3
2.61 (.103)  
2.32 (.091)  
5.28 (.208)  
4.78 (.188)  
8.89 (.350)  
REF.  
1.40 (.055)  
1.14 (.045)  
1.39 (.055)  
1.14 (.045)  
3X  
0.55 (.022)  
0.46 (.018)  
0.93 (.037)  
0.69 (.027)  
3X  
5.08 (.200)  
0.25 (.010)  
M
B A M  
MINIMUM RECOMMEND ED FOOTPRINT  
11.43 (.450)  
8.89 (.350)  
LE AD ASSIGNM ENTS  
1 - GATE  
NO TES:  
1
2
3
4
DIM ENS IONS AFTER SOLDER DIP.  
17.78 (.700)  
2 - DRAIN  
DIM ENS IONIN G & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M , 1982.  
CONTROLLIN G DIMENSION : INCH.  
3 - SOURCE  
HEATSINK & LEAD DIM ENSIONS DO NOT INCLUD E BURRS.  
3.81 (.150)  
2.54 (.100)  
2.08 (.082)  
2X  
2X  
D2Pak Part Marking Information  
A
INTERNATIO NAL  
RECTIFIER  
PART NUMB ER  
F530S  
LOGO  
9246  
1M  
DATE CODE  
(YYW W )  
9B  
A SSEM BLY  
YY  
=
YEAR  
= W EEK  
LOT  
CODE  
W W  
www.irf.com  
9
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