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IRF630N 参数 Datasheet PDF下载

IRF630N图片预览
型号: IRF630N
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内容描述: 功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON) = 0.30ohm ,ID = 9.3A ) [Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A)]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关局域网
文件页数/大小: 11 页 / 155 K
品牌: INFINEON [ Infineon ]
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IRF630N/S/L  
RD  
VDS  
12  
9
VGS  
10V  
D.U.T.  
RG  
+
VDD  
-
Pulse Width ≤ 1 µs  
Duty Factor ≤ 0.1 %  
6
Fig 10a. Switching Time Test Circuit  
V
3
DS  
90%  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
°
, Case Temperature ( C)  
10%  
T
C
V
GS  
t
t
r
t
t
f
d(on)  
d(off)  
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.  
Fig 10b. Switching Time Waveforms  
Case Temperature  
10  
D = 0.50  
0.20  
1
0.10  
0.05  
P
2
DM  
0.1  
SINGLE PULSE  
(THERMAL RESPONSE)  
0.02  
0.01  
t
1
t
2
Notes:  
1. Duty factor D = t / t  
1
2. Peak T =P  
x Z  
+ T  
C
J
DM  
thJC  
0.01  
0.00001  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
t , Rectangular Pulse Duration (sec)  
1
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case  
www.irf.com  
5
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