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IRF630N 参数 Datasheet PDF下载

IRF630N图片预览
型号: IRF630N
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内容描述: 功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON) = 0.30ohm ,ID = 9.3A ) [Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A)]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关局域网
文件页数/大小: 11 页 / 155 K
品牌: INFINEON [ Infineon ]
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IRF630N/S/L  
100  
10  
1
100  
10  
VGS  
15V  
VGS  
15V  
TOP  
TOP  
10V  
10V  
8.0V  
7.0V  
6.0V  
5.5V  
5.0V  
8.0V  
7.0V  
6.0V  
5.5V  
5.0V  
BOTTOM4.5V  
BOTTOM 4.5V  
1
4.5V  
4.5V  
0.1  
20µs PULSE WIDTH  
20µs PULSE WIDTH  
°
°
T = 175 C  
J
T = 25 C  
J
0.01  
0.1  
0.1  
0.1  
1
10  
100  
1
10  
100  
V
, Drain-to-Source Voltage (V)  
V
, Drain-to-Source Voltage (V)  
DS  
DS  
Fig 1. Typical Output Characteristics  
Fig 2. Typical Output Characteristics  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
100  
10  
1
9.3A  
=
I
D
°
T = 175 C  
J
°
T = 25 C  
J
V
= 50V  
DS  
20µs PULSE WIDTH  
V
=10V  
GS  
0.1  
4.0  
-60 -40 -20  
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180  
°
5.0  
6.0  
7.0  
8.0 9.0 10.0  
T , Junction Temperature( C)  
J
V
, Gate-to-Source Voltage (V)  
GS  
Fig 4. Normalized On-Resistance  
Fig 3. Typical Transfer Characteristics  
Vs. Temperature  
www.irf.com  
3
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