欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

IRF1407PBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF1407PBF图片预览
型号: IRF1407PBF
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: HEXFET㈢功率MOSFET [HEXFET㈢ Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 10 页 / 164 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
 浏览型号IRF1407PBF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF1407PBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF1407PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF1407PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF1407PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF1407PBF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF1407PBF的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRF1407PBF的Datasheet PDF文件第9页  
IRF1407PbF
1000
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
TOP
1000
ID, Drain-to-Source Current (A)
100
ID, Drain-to-Source Current (A)
100
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
TOP
4.5V
4.5V
10
10
20µs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
0.1
1
10
100
1
0.1
1
20µs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 2.
Typical Output Characteristics
1000.00
3.0
I
D
= 130A
ID, Drain-to-Source Current
)
T J = 25°C
2.5
R
DS(on)
, Drain-to-Source On Resistance
TJ = 175°C
2.0
100.00
(Normalized)
1.5
1.0
0.5
10.00
3.0
5.0
7.0
VDS = 15V
20µs PULSE WIDTH
9.0
11.0
13.0
V
GS
= 10V
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
T
J
, Junction Temperature
(
°
C)
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
vs. Temperature
www.irf.com
3