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    IRF840 参数 Datasheet PDF下载

    IRF840图片预览
    型号： IRF840
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8A ， 500V ， 0.850 Ohm的N通道功率MOSFET [8A, 500V, 0.850 Ohm, N-Channel Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 60 K
    品牌： INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
     浏览型号IRF840的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF840的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF840的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF840的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF840的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF840的Datasheet PDF文件第7页  
    IRF840
    典型性能曲线
    1.25
    归一漏极至源极
    击穿电压
    I
    D
    = 250µA
    除非另有规定编
    （续）
    3000
    V
    GS
    = 0V ， F = 1MHz的
    C
    国际空间站
    = C
    GS
    + C
    GD
    C
    RSS
    = C
    GD
    C
    OSS
    ≈
    C
    DS
    + C
    GD
    1.15
    C，电容（pF ）
    2400
    1.05
    1800
    C
    国际空间站
    1200
    C
    OSS
    600
    C
    RSS
    0.95
    0.85
    0.75
    -60
    -40
    -20
    0
    20
    40
    60
    80
    100 120 140 160
    0
    1
    2
    5
    10
    2
    5
    V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    10
    2
    T
    J
    ，结温（
    o
    C)
    图10.归一漏极至源极击穿
    电压Vs结温
    图11.电容VS漏源极电压
    15
    g
    fs
    ，跨导（ S）
    I
    SD
    ，源极到漏极电流（A）
    12
    脉冲持续时间为80μs =
    占空比= 0.5 ％ MAX
    V
    DS
    ≥
    50V
    100
    脉冲持续时间为80μs =
    占空比= 0.5 ％ MAX
    10
    T
    J
    = 150
    o
    C
    1.0
    T
    J
    = 25
    o
    C
    9
    T
    J
    = 25
    o
    C
    T
    J
    = 150
    o
    C
    6
    3
    0
    0
    3
    6
    9
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    12
    15
    0.1
    0
    1.2
    0.3
    0.6
    0.9
    V
    SD
    ，源极到漏极电压（ V）
    1.5
    图12.跨VS漏极电流
    图13.源极到漏极二极管电压
    20
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    I
    D
    = 8A
    16
    V
    DS
    = 100V
    12
    V
    DS
    = 250V
    V
    DS
    = 400V
    8
    4
    0
    0
    12
    24
    36
    48
    60
    Q
    g
    ，栅极电荷（ NC）
    图14.栅极至源极电压Vs栅极电荷
    4-261

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