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IRF840 参数 Datasheet PDF下载

IRF840图片预览
型号: IRF840
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内容描述: 8A , 500V , 0.850 Ohm的N通道功率MOSFET [8A, 500V, 0.850 Ohm, N-Channel Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 60 K
品牌: INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
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IRF840
典型性能曲线
10
2
10µs
I
D
,漏电流( A)
10
I
D
,漏电流( A)
除非另有规定编
(续)
15
V
GS
= 10V
12
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
V
GS
= 6.0V
100µs
1ms
9
V
GS
= 5.5V
6
1
操作在此
区域被限定
由R
DS ( ON)
T
C
= 25
o
C
T
J
=最大额定
单脉冲
1
10
10
2
10ms
DC
3
V
GS
= 5.0V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4.0V
200
250
0.1
10
3
0
0
50
100
150
V
DS
,漏源极电压( V)
V
DS
,漏源极电压( V)
图4.正向偏置安全工作区
图5.输出特性
15
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
I
D
,漏电流( A)
12
V
GS
= 6.0V
V
GS
= 10V
100
I
SD
(ON ) ,漏极至源极
电流(A )
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
V
DS
50V
10
9
1
T
J
= 150
o
C
0.1
T
J
= 25
o
C
6
V
GS
= 5.5V
3
V
GS
= 4.0V
0
0
V
GS
= 5.0V
V
GS
= 4.5V
0.01
3
6
9
12
V
DS
,漏源极电压( V)
15
0
2
4
6
8
V
SD
,门源电压( V)
10
图6.饱和特性
图7.传热特性
10
归一漏极至源极
电阻上的电压
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
3.0
r
DS ( ON)
,漏极到源极
导通电阻( Ω )
8
2.4
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
I
D
= 4.4A ,V
GS
= 10V
6
V
GS
= 10V
4
1.8
1.2
2
V
GS
= 20V
0.6
0
0
8
32
16
24
T
C
,外壳温度(
o
C)
40
0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
J
,结温(
o
C)
图8.漏极至源极导通电阻VS
电压和漏极电流
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
4-260