IRF840 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF840
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内容描述：	8A ， 500V ， 0.850 Ohm的N通道功率MOSFET [8A, 500V, 0.850 Ohm, N-Channel Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 60 K
品牌：	INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]

IRF840

源极到漏极二极管特定网络阳离子

参数

连续源极到漏极电流

脉冲源极到漏极电流（注3 ）

符号

SDM

测试条件

修改MOSFET

符号显示的

整体逆转的p-n

结二极管

民

典型值

最大

8.0

单位

源极到漏极二极管电压（注2 ）

反向恢复时间

反向恢复电荷

注意事项：

= 25

C，我

= 8.0A ，V

= 100A /μs的（图13）

= 25

C，我

= 8.0A ，二

/ DT = 100A / μs的

= 25

C，我

= 8.0A ，二

/ DT = 100A / μs的

210

2.0

475

4.6

2.0

970

8.2

µC

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2%.

3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ）。

4. V

= 50V ，起始物为

= 25

C，L = 14mH ，R

= 25Ω ，峰值I

= 8A.

典型性能曲线

1.2

功耗乘法器

1.0

除非另有规定编

0.8

0.6

0.4

0.2

，漏电流（ A）

100

150

100

125

150

，外壳温度（

图1.归功耗与案例

温度

图2.最大连续漏极电流VS

外壳温度

θJC

归一化暂态

0.5

热阻抗

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

-2

单脉冲

注意事项：

DUTY因子：D = T

PEAK牛逼

= P

X Z

θJC

个R

θJC

+ T

-4

-3

-2

0.1

，矩形脉冲持续时间（ S）

-3 -5

图3.归一化最大瞬态热阻抗

4-259

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