HS-80C85RH
1996年2月
抗辐射
8位CMOS微处理器
描述
在HS- 80C85RH是一个8位CMOS微处理器fabri-
使用Intersil的抗辐射的自对准junc- cated
化隔离（佐治）硅栅技术。闭锁免费
操作是通过使用外延原料的实现
以消除寄生可控硅效应见于常规
批量CMOS器件。
在HS- 80C85RH是一个功能逻辑仿真
HMOS 8085和它的指令集是100 ％的软件的COM
兼容与HMOS器件。该HS80C85RH设计
操作与单5伏电源。其高级别
积分允许辐射的结构硬化
微机系统与少至3个集成电路（ HS-
80C85RH CPU ， HS83C55RH ROM的I / O ，以及HS- 81C55 /
56RH RAM I / O 。
特点
•依照设备QML QUALI网络版
MIL-PRF-38535
•详细的电气和筛选要求是
包含在SMD ＃ 5962-95824和Intersil公司的质量管理计划
•抗辐射EPI -CMOS
- 需要技术保证1 ×10
5
Rad公司（SI ）
- 瞬态翻转> 1 ×10
8
RAD （SI ） / S
- 闭锁免费> 1 ×10
12
RAD （SI ） / S
•低待机电流最大500μA
•低工作电流5.0毫安/兆赫（X
1
INPUT）
•电相当于桑迪亚SA 3000
• 100％的软件兼容INTEL 8085
•操作从DC至2MHz ，邮政辐射
•单5伏电源
•片上时钟发生器与系统控制器
•四个向量中断输入
•完全静态设计
•自对准结隔离（佐治）流程
•军用温度范围-55
o
C至+ 125
o
C
引脚配置
40引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装（ SBDIP ）
MIL- STD- 1835 ， CDIP2 - T40
顶视图
X1 1
X2 2
复位输出3
SOD 4
SID 5
陷阱6
RST 7.5 7
RST 6.5 8
RST 5.5 9
INTR 10
INTA 11
AD0 12
AD1 13
AD2 14
AD3 15
AD4 16
AD5 17
AD6 18
AD7 19
GND 20
40 VDD
39 HOLD
38 HLDA
37 CLOCK OUT
36复位
35 READY
34 IO / M
33 S1
32 RD
31 WR
30 ALE
29 S0
28 A15
27 A14
26 A13
25 A12
24 A11
23 A10
22 A9
21 A8
X1
X2
RESET
OUT
超氧化物歧化酶
SID
陷阱
RST 7.5
RST 6.5
RST 5.5
INTR
INTA
AD0
AD1
AD2
AD3
AD4
NC
NC
AD5
AD6
AD7
42引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装（ FLATPACK ）
INTERSIL外形K42.A
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
VDD
HOLD
HLDA
时钟
OUT
RESET
IN
准备
IO / M
S1
RD
WR
ALE
S0
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
GND
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
©
Intersil公司1999
规格编号
网络文件编号
1
518054
3036.2
INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
