特定网络阳离子HS- 80C85RH
表3.电气性能特性
范围
参数
输入电容
I / O容量
输出电容
注意：
1.所有的测量参考设备接地。
表4. POST 100K RAD电性能等特点
注意：
后照射的测试条件和限制是相同于表1和2中列出。
表5. BURN -IN DELTA参数（ +25
o
℃;建立符合SMD ）
符号
CIN
CI / O
COUT
（注1 ）
条件
VDD =开， F = 1MHz的
VDD =开， F = 1MHz的
VDD =开， F = 1MHz的
温度
T
A
= +25
o
C
T
A
= +25
o
C
T
A
= +25
o
C
民
-
-
-
最大
12
13
12
单位
pF
pF
pF
表6.中断优先级， RESTART地址和灵敏度
地址分支到（1）
当产生中断时
24H
3CH
34CH
2CH
见注2
名字
陷阱
RST 7.5
RST 6.5
RST 5.5
INTR
注意事项：
优先
1
2
3
4
5
触发类型
上升沿和高电平直到采样。
上升沿（锁存）
高电平直到采样。
高电平直到采样。
高电平直到采样。
1.处理器将堆栈中的PC的分支所指示的地址之前。
2.地址跳转到依赖于提供给CPU时，中断被接受指令。
表7.总线时序规范作为吨
CYC
依赖的
符号
TAL
TLA
TLL
TLCK
TLC
TAD
TRD
TRAE
TCA
TDW
TWD
HS-8OC85RH
(1/2)T- 175
(1/2)T- 175
(1/2)T-50
(1/2)T- 125
(1/2)T- 100
（ 5/2 + N ）T - 375
（ 3/2 + N ）T - 375
(1/2)T- 130
(1/2)T - 100
（ 3/2 + N ）T - 175
(1/2)T-100
最低
最低
最低
最低
最低
最大
最大
最低
最低
最低
最低
符号
TCC
TCL
tary
tHACK
tHABF
tHABE
TAC
t1
t2
TRV
TLDR
HS-8OC85RH
（ 3/2 + N ）T - 175
(1/2)T - 190
(3/2)T - 500
(1/2)T - 160
(1/2)T +125
(1/2)T +125
(2/2)T - 200
(1/2)T-210
(1/2)T- 150
(3/2)T - 200
(4/2)T - 325
最低
最低
最大
最低
最大
最大
最低
最低
最低
最低
最大
注： N为总的等待状态， T = TCYC
规格编号
7
518054
INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
