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2N7288H 参数 Datasheet PDF下载

2N7288H图片预览
型号: 2N7288H
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内容描述: 抗辐射N沟道功率MOSFET [Radiation Hardened N-Channel Power MOSFETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 50 K
品牌: INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
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特定网络阳离子2N7288D , 2N7288R , 2N7288H - 注册待定
后辐射电器特定网络阳离子
TC = 25
o
C,除非另有规定编
范围
参数
漏源
击穿电压
(注4,6)
(注5,6)
栅极 - 源
阈值电压
(注4,6)
(注3,5, 6)
门体
正向漏电
(注4,6)
(注5,6)
门体
反向泄漏
(注2,4, 6)
(注2,5, 6)
零栅极电压
漏电流
(注4,6)
(注5,6)
漏源
通态电压
(注1 , 4,6)
(注1,5, 6)
漏源
抗性
(注1 , 4,6)
(注1,5, 6)
注意事项:
1.脉冲测试, 300μS最大
2.绝对值
3.伽马= 300KRAD (SI )
4.伽玛= 10KRAD (Si)的为“D” , 100KRAD (Si)的为“R” 。中子= 1E13
5.伽马= 1000KRAD (SI ) 。中子= 1E13
6.原位伽玛偏见必须被采样为VGS = + 10V , VDS = 0V和VGS = 0V , VDS = 80 %的BVDSS
由GE ASTRO空间TA17643设备拍摄九零年一月三十零日7.伽玛数据; EMC /生存性试验室;普鲁士国王,
PA 19401
8.单事件沥干倦怠测试提图斯, JL ,等NWSC ,鹤的人,在布鲁克海文纳特。实验室。 12月11日至14日, 1989年
9.中子推导,哈里斯应用笔记AN- 8831 , 1988年10月
符号
BVDSS
BVDSS
VGS ( TH)
VGS ( TH)
IGSSF
IGSSF
IGSSR
IGSSR
IDSS
IDSS
VDS (上)
VDS (上)
RDS ( ON)
RDS ( ON)
TYPE
2N7288D ,R
2N7288H
2N7288D ,R
2N7288H
2N7288D ,R
2N7288H
2N7288D ,R
2N7288H
2N7288D ,R
2N7288H
2N7288D ,R
2N7288H
2N7288D ,R
2N7288H
测试条件
VGS = 0时, n = 1毫安
VGS = 0时, n = 1毫安
VGS = VDS , ID = 1毫安
VGS = VDS , ID = 1毫安
VGS = 20V , VDS = 0
VGS = 20V , VDS = 0
VGS = -20V , VDS = 0
VGS = -20V , VDS = 0
VGS = 0 , VDS = 200V
VGS = 0 , VDS = 200V
VGS = 10V ,ID = 9A
VGS = 16V , ID = 9A
VGS = 10V , ID = 6A
VGS = 14V , ID = 6A
250
238
2.0
1.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
4.0
4.5
100
200
100
200
25
100
3.92
5.88
0.415
0.623
单位
V
V
V
V
nA
nA
nA
nA
µA
µA
V
V
3