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2N7288H 参数 Datasheet PDF下载

2N7288H图片预览
型号: 2N7288H
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内容描述: 抗辐射N沟道功率MOSFET [Radiation Hardened N-Channel Power MOSFETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 50 K
品牌: INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
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特定网络阳离子2N7288D , 2N7288R , 2N7288H - 注册待定
预辐射电器特定网络阳离子
TC = 25
o
C,除非另有规定编
范围
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏进
门体反向漏
零栅极电压
漏电流
符号
BVDSS
VGS ( TH)
IGSSF
IGSSR
IDSS1
IDSS2
IDSS3
IAR
VDS (上)
RDS ( ON)
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
QG (日)
QG (上)
QGM
VGP
QGS
QGD
VSD
TT
RθJC
RΘJA
自由空气操作
ID = 9A , VGD = 0
I = 9A ;的di / dt = 100A / μs的
VDD = 125V , ID = 9A
IGS1 = IGS2
0
VGS
20
测试条件
VGS = 0时, n = 1毫安
VDS = VGS ,ID = 1毫安
VGS = 20V +
VGS = -20V
VDS = 250V , VGS = 0
VDS = 200V , VGS = 0
VDS = 200V , VGS = 0 , TC = 125
o
C
时间= 20μS
VGS = 10V ,ID = 9A
VGS = 10V , ID = 6A
VDD = 125V , ID = 9A
脉冲宽度= 3μs的
周期= 300μS , RG = 25Ω
0
VGS
10 (见测试电路)
250
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2
29
55
2
4
12
0.6
-
-
-
最大
-
4.0
100
100
1
0.025
0.25
27
3.92
0.415
46
100
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷阈值
栅极电荷导通状态
栅极电荷共
高原电压
栅极电荷源
栅极电荷泄漏
二极管的正向电压
反向恢复时间
结到外壳
结到环境
368
124
8
116
220
10
18
nc
48
1.8
840
1.67
o
C / W
单位
V
V
nA
nA
mA
额定雪崩电流
漏源导通状态电压
漏源导通电阻
导通延迟时间
上升时间
A
V
nc
V
V
ns
60
VDD
RL
V1
E1 = 0.5 BVDSS
VC = 0.75 BVDSS
L
VDS
DUT
E1
VC
0.06Ω
IL
Rg
图1.开关时间测试
图2钳位电感式开关, ILM
2