性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø ř
注册未完成
作为FRS244 （D ，R ，H ）
1994年11月
2N7288D ， 2N7288R
2N7288H
抗辐射
N沟道功率MOSFET
包
TO-257AA
特点
• 9A ， 250V ， RDS （ ON） = 0.415Ω
•第二代抗辐射MOSFET结果从新设计概念
•伽玛
-
-
-
-
-
-
-
-
-
会见前-Rad公司特定网络阳离子100KRAD （SI ）
德网络斯内德终点规格的300KRAD （ Si）和1000KRAD （SI ）
性能允许有限使用，以3000KRAD （SI ）
生存3E9RAD （SI ） /秒， 80 ％的BVDSS通常
躲过2E12通常情况下如果电流限制在IDM
7.0nA每- RAD （SI ） /秒典型
预RAD特定网络阳离子1E13中子/平方厘米
2
可用来1E14中子/平方厘米
2
通常情况下生存1E5ions /厘米
2
有一个
LET
≤
35MeV/mg/cm
2
和范围
≥
为30μm ，在80 ％的BVDSS
•伽玛点
•光电流
•中子
•单事件
描述
哈里斯半导体部门设计了一系列第二一代的
TION硬化的N和P沟道增强型功率MOSFET
从收视率100V至500V ， 1A到60A ，和导通电阻低至25MΩ 。
总剂量硬度报价为100K RAD （ Si）和1000KRAD （SI ）与中子
硬度范围从1E13n /厘米
2
对于500V产品1E14n /厘米
2
对于100V的精良
UCT 。剂量率硬度（ GAMMA DOT）存在利率1E9没有的电流极限值
章602和2E12与电流限制。从信号事件排重离子生存
烧出存在的35 80 ％额定电压的线性能量转移（ LET） 。
这个MOSFET是一个增强型硅栅功率音响场效晶体管
垂直DMOS （ VDMOS ）结构。它是专门设计和处理以
具有最小的特征性改变为总剂量（ GAMMA ）和中子（N
o
)
暴露。还针对设计和加工工作，提高生存
重离子（ SEE ）和/或剂量率（ GAMMA DOT ）曝光。
这部分可被提供作为模具或各种封装比上面示出的其它。
可靠性筛选可作为或者不TX （商业） ， TX当量
MIL -S - 19500 ，热力膨胀阀相当于MIL -S - 19500 ，或等效的空间MIL- S-的
19500联系哈里斯半导体高可靠性营销集团的任何
从数据表中所需的偏差。
符号
绝对最大额定值
（ TC = 25
o
C）除非另有规定编
2N7288D ， R，H
250
250
9
6
27
±20
75
30
0.60
27
9
27
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
V
W
W
W/
o
C
A
A
A
o
C
o
C
漏 - 源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .VDS
漏极 - 栅极电压（ RGS = 20kΩ的） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VDGR
连续漏电流
TC = 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .ID
TC = 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .ID
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 IDM
栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .VGS
最大功率耗散
TC = 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 PT
TC = 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 PT
降级以上+25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
感应电流，钳位， L = 100μH ， （见测试图） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ILM
连续源电流（体二极管） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 IS
脉冲源电流（体二极管） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ISM
操作和储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 TJC ， TSTG
焊接温度（焊接时）
距离> 0.063英寸（ 1.6毫米）从个案， 10S最大。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 TL
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的I.C.处理程序。
版权
©
1992年哈里斯公司
网络文件编号
3256.1
1
INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
