TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DDB6U134N16RR_B11
Diode,ꢀGleichrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀRectifier
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IFRMSM
IRMSM
IFSM
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1600
80
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
DurchlassstromꢀGrenzeffektivwertꢀproꢀChip
TC = 100°C
MaximumꢀRMSꢀforwardꢀcurrentꢀperꢀchip
GleichrichterꢀAusgangꢀGrenzeffektivstrom
TC = 100°C
134
MaximumꢀRMSꢀcurrentꢀatꢀrectifierꢀoutput
StoßstromꢀGrenzwert
Surgeꢀforwardꢀcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
650
550
A
A
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
2100
1500
A²s
A²s
I²t
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
Durchlassspannung
Tvj = 150°C, IF = 150 A
Forwardꢀvoltage
min. typ. max.
1,20
VF
VTO
rT
V
V
Schleusenspannung
Tvj = 150°C
0,75
5,50
1,00
Thresholdꢀvoltage
Ersatzwiderstand
Tvj = 150°C
mΩ
mA
Slopeꢀresistance
Sperrstrom
Tvj = 150°C, VR = 1600 V
Reverseꢀcurrent
IR
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJC
RthCH
Tvj op
0,65 K/W
K/W
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
0,155
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
preparedꢀby:ꢀCM
approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-08-29
revision:ꢀ3.0
2
INFINEON [ Infineon ]
