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    BSS123L6433HTMA1 参数 Datasheet PDF下载

    BSS123L6433HTMA1图片预览
    型号： BSS123L6433HTMA1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3]
    分类和应用： 光电二极管晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 94 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号BSS123L6433HTMA1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BSS123L6433HTMA1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSS123L6433HTMA1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSS123L6433HTMA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSS123L6433HTMA1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSS123L6433HTMA1的Datasheet PDF文件第7页  
    BSS 123
    Typ. output characteristics
    I
    D
    =
    ƒ(
    V
    DS
    )
    parameter:
    t
    p
    = 80 µs ,
    T
    j
    = 25 ˚C
    0.38
    A
    0.32
    Typ. drain-source on-resistance
    R
    DS (on)
    =
    ƒ(
    I
    D
    )
    parameter:
    t
    p
    = 80 µs,
    T
    j
    = 25 ˚C
    19
    P
    tot
    = 0W
    i
    j
    k
    l
    h
    g
    f
    e
    VGS
    [V]
    a
    2.0
    b
    c
    2.5
    3.0
    3.5
    4.0
    4.5
    5.0
    6.0
    7.0
    8.0
    9.0
    10.0
    Ω
    16
    a
    b
    c
    I
    D
    0.28
    R
    DS (on)
    14
    12
    10
    8
    6
    4
    2
    V
    GS
    [V] =
    a
    2.5
    2.0
    b
    3.0
    c
    3.5
    d
    4.0
    e
    f
    4.5 5.0
    g
    6.0
    h
    i
    7.0 8.0
    j
    9.0
    k
    10.0
    d
    0.24
    0.20
    c
    d
    e
    f
    g
    h
    i
    j
    0.16
    0.12
    0.08
    0.04
    a
    k
    l
    d
    e
    f
    hj i g
    k
    b
    0.00
    0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
    V
    5.0
    0
    0.00
    0.04
    0.08
    0.12
    0.16
    0.20
    A
    0.28
    V
    DS
    I
    D
    Typ. transfer characteristics
    I
    D
    = f(V
    GS
    )
    Typ. forward transconductance
    g
    fs
    =
    f
    (I
    D
    )
    parameter:
    t
    p
    = 80 µs
    V
    DS
    ≥
    2 x
    I
    D
    x
    R
    DS(on)max
    1.0
    A
    I
    D
    parameter:
    t
    p
    = 80 µs,
    V
    DS
    ≥
    2 x
    I
    D
    x
    R
    DS(on)max
    0.40
    S
    g
    fs
    0.8
    0.7
    0.6
    0.5
    0.4
    0.3
    0.30
    0.25
    0.20
    0.15
    0.10
    0.2
    0.1
    0.0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    V
    V
    GS
    0.05
    0.00
    10
    0.0
    0.1
    0.2
    0.3
    0.4
    0.5
    0.6
    A
    I
    D
    0.8
    Data Sheet
    6
    05.99

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