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    BSS123L6433HTMA1 参数 Datasheet PDF下载

    BSS123L6433HTMA1图片预览
    型号： BSS123L6433HTMA1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3]
    分类和应用： 光电二极管晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 94 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号BSS123L6433HTMA1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BSS123L6433HTMA1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSS123L6433HTMA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSS123L6433HTMA1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSS123L6433HTMA1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSS123L6433HTMA1的Datasheet PDF文件第7页  
    BSS 123
    Electrical Characteristics,
    at
    T
    j
    = 25˚C, unless otherwise specified
    Parameter
    Symbol
    min.
    Dynamic Characteristics
    Values
    typ.
    max.
    Unit
    Transconductance
    V
    DS
    ≥
    2
    *
    I
    D *
    R
    DS(on)max,
    I
    D
    = 0.17 A
    g
    fs
    S
    0.08
    0.2
    -
    pF
    -
    65
    85
    Input capacitance
    V
    GS
    = 0 V,
    V
    DS
    = 25 V,
    f
    = 1 MHz
    C
    iss
    Output capacitance
    V
    GS
    = 0 V,
    V
    DS
    = 25 V,
    f
    = 1 MHz
    C
    oss
    -
    C
    rss
    10
    15
    Reverse transfer capacitance
    V
    GS
    = 0 V,
    V
    DS
    = 25 V,
    f
    = 1 MHz
    -
    t
    d(on)
    4
    6
    ns
    Turn-on delay time
    V
    DD
    = 30 V,
    V
    GS
    = 10 V,
    I
    D
    = 0.28 A
    R
    GS
    = 50
    Ω
    -
    t
    r
    5
    8
    Rise time
    V
    DD
    = 30 V,
    V
    GS
    = 10 V,
    I
    D
    = 0.28 A
    R
    GS
    = 50
    Ω
    -
    t
    d(off)
    5
    8
    Turn-off delay time
    V
    DD
    = 30 V,
    V
    GS
    = 10 V,
    I
    D
    = 0.28 A
    R
    GS
    = 50
    Ω
    -
    t
    f
    10
    13
    Fall time
    V
    DD
    = 30 V,
    V
    GS
    = 10 V,
    I
    D
    = 0.28 A
    R
    GS
    = 50
    Ω
    -
    12
    16
    Data Sheet
    3
    05.99

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