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    GA150TS60U 参数 Datasheet PDF下载

    GA150TS60U图片预览
    型号： GA150TS60U
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 半桥IGBT INT -A- PAK超FastTM高速IGBT [HALF-BRIDGE IGBT INT-A-PAK Ultra-FastTM Speed IGBT]
    分类和应用： 晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
    文件页数/大小： 11 页 / 224 K
    品牌： ICS [ INTEGRATED CIRCUIT SYSTEMS ]
     浏览型号GA150TS60U的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GA150TS60U的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GA150TS60U的Datasheet PDF文件第4页浏览型号GA150TS60U的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GA150TS60U的Datasheet PDF文件第7页浏览型号GA150TS60U的Datasheet PDF文件第8页浏览型号GA150TS60U的Datasheet PDF文件第9页浏览型号GA150TS60U的Datasheet PDF文件第10页  
    GA150TS60U
    50
    总的开关损耗（兆焦耳）
    T
    J
    = 150
    °
    C
    V
    CC
    = 360V
    40
    V
    GE
    = 15V
    
    R
    G
    =27
    Ω
    ;R
    G2
    = 0
    Ω
    G1
    =欧姆
    400
    350
    V
    摹ê
    = 20V
    T
    J
    = 125°C
    V
    权证
    米easured足月INAL （峰值V oltage ）
    300
    250
    30
    200
    安全操作摄像区
    20
    150
    100
    10
    50
    0
    0
    50
    100
    150
    200
    250
    300
    0
    0
    100
    200
    300
    400
    500
    600
    A
    700
    I
    C
    ，集电极 - 发射极电流（A ）
    V
    CE
    ，集电极 - 发射极电压（V ）
    图。 11 -
    典型的开关损耗与
    集电极 - 发射极电流
    1000
    图。 12
    - 反向偏置SOA
    16000
    I
    F
    = 3 00 A
    在STA ñ TA否E O u那样S F Ø RW一个道中④此吨 - 我
    F
    (A )
    I
    F
    = 1 50 A
    I
    F
    = 75 A
    12000
    100
    T
    J
    = 125 °C
    T
    J
    = 25°C
    Q
    R R
    - （ NC ）
    8000
    4000
    V
    R
    = 3 6 0V
    T
    J
    = 1 25 °C
    T
    J
    = 2 5°C
    10
    1.0
    2.0
    3.0
    4.0
    5.0
    0
    500
    1000
    1500
    2000
    ˚F Ø RW一个RD V Ø LTA克E D RO P - V
    F M
    (V )
    di
    f
    / DT - （ A / μs）内
    图。 13
    - 典型正向压降与
    正向电流
    图。 14
    - 典型的存储电荷主场迎战迪
    f
    / DT
    6
    www.irf.com

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