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GA150TS60U 参数 Datasheet PDF下载

GA150TS60U图片预览
型号: GA150TS60U
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内容描述: 半桥IGBT INT -A- PAK超FastTM高速IGBT [HALF-BRIDGE IGBT INT-A-PAK Ultra-FastTM Speed IGBT]
分类和应用: 晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管局域网
文件页数/大小: 11 页 / 224 K
品牌: ICS [ INTEGRATED CIRCUIT SYSTEMS ]
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GA150TS60U
160
3.0
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
V
= 15V

80我们脉宽
GE
最大直流电集电极电流( A)
120

I
C
= 300 A
80
2.0

I
C
= 150 A

I
C
= 75 A
40
0
25
50
75
100
125
150
1.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
C
,外壳温度(
°
C)
T
J
,结温(
°
C)
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
1
日ERM一个升林P E D的CE - z
日J·C
D = 0.5 0
0.1
0.20
0 .1 0
0 .05
0 .02
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
(前作马币一l研究é SIS TA N c个E)
注意事项:
1.负载因数D = T
P
DM
t
1
t2
1
/t
2
2.峰值TJ = P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
,R EC TA NG ular P ü LSE ð ü RA TIO N (SE conds )
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
4
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