欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

GA150TS60U 参数 Datasheet PDF下载

GA150TS60U图片预览
型号: GA150TS60U
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 半桥IGBT INT -A- PAK超FastTM高速IGBT [HALF-BRIDGE IGBT INT-A-PAK Ultra-FastTM Speed IGBT]
分类和应用: 晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管局域网
文件页数/大小: 11 页 / 224 K
品牌: ICS [ INTEGRATED CIRCUIT SYSTEMS ]
 浏览型号GA150TS60U的Datasheet PDF文件第1页浏览型号GA150TS60U的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GA150TS60U的Datasheet PDF文件第4页浏览型号GA150TS60U的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GA150TS60U的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GA150TS60U的Datasheet PDF文件第7页浏览型号GA150TS60U的Datasheet PDF文件第8页浏览型号GA150TS60U的Datasheet PDF文件第9页  
GA150TS60U
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
V
( BR ) CES
V
CE (ON)的
V
GE (日)
∆V
GE (日)
/∆T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
600 —
V
GE
= 0V时,我
C
= 1毫安
1.7 2.3
V
GE
= 15V ,我
C
= 150A
1.7
V
V
GE
= 15V ,我
C
= 150A ,T
J
= 125°C
栅极阈值电压
3.0
6.0
I
C
= 750µA
温度COEFF 。阈值电压 -
-11
- 毫伏/°C, V
CE
= V
GE
, I
C
= 750µA
正向跨导
T
152 —
S
V
CE
= 25V ,我
C
= 150A
集电极 - 发射极电流泄漏
1.0
mA
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
10
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ,T
J
= 125°C
二极管的正向电压 - 最大
3.3
V
I
F
= 150A ,V
GE
= 0V
3.2
I
F
= 150A ,V
GE
= 0V ,T
J
= 125°C
门极 - 发射极漏电流
— 250
nA
V
GE
= ±20V
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极电压
动态特性 - T的
J
= 125 ℃(除非另有规定)
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关( 1)
E
TS (1)
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
( REC )
M
/ DT
参数
总栅极电荷(导通)
门 - 发射极电荷(导通)
门 - 收集电荷(导通)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
总开关能量
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管峰值ReverseCurrent
二极管恢复充电
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。
典型值。
624
87
212
241
145
336
227
6.0
12
19
14000
860
180
172
113
9696
2000
MAX 。单位
条件
937
V
CC
= 400V
130
NC I
C
= 94A
317
T
J
= 25°C
R
G1
= 27Ω, R
G2
= 0Ω,
ns
I
C
= 150A
V
CC =
360V
V
GE
= ±15V
mJ
33
V
GE
= 0V
pF
V
CC
= 30V
ø = 1兆赫
ns
I
C
= 150A
A
R
G1
= 27Ω
NC ř
G2
= 0Ω
A / μs的V
CC =
360V
的di / dt = 1300A / μs的
2
www.irf.com