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    26B01 参数 Datasheet PDF下载

    26B01图片预览
    型号： 26B01
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低偏移， 1到2差分至LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器 [LOW SKEW, 1-TO-2 DIFFERENTIAL-TO-LVCMOS/LVTTL FANOUT BUFFER]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 14 页 / 238 K
    品牌： ICS [ INTEGRATED CIRCUIT SYSTEMS ]
     浏览型号26B01的Datasheet PDF文件第1页浏览型号26B01的Datasheet PDF文件第2页浏览型号26B01的Datasheet PDF文件第4页浏览型号26B01的Datasheet PDF文件第5页浏览型号26B01的Datasheet PDF文件第6页浏览型号26B01的Datasheet PDF文件第7页浏览型号26B01的Datasheet PDF文件第8页浏览型号26B01的Datasheet PDF文件第9页  
    集成
    电路
    系统公司
    ICS83026I-01
    L
    OW
    S
    KEW
    , 1-
    TO
    -2
    D
    。微分
    -
    TO
    -LVCMOS / LVTTL ˚F
    ANOUT
    B
    UFFER
    4.6V
    -0.5V到V
    DD
    + 0.5 V
    -0.5V到V
    DDO
    + 0.5V
    112.7 ℃/ W（ 0 LFPM ）
    101.7 ℃/ W（ 0 LFPM ）
    -65 ℃〜150 ℃的
    注：如果运行条件超出绝对下上市
    最大额定值可能会造成永久性损坏
    装置。这些评价只强调规范。实用
    产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
    彼处那些在上市
    DC特性
    or
    AC Character-
    istics
    是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
    长时间条件可能会影响产品的可靠性。
    A
    BSOLUTE
    M
    AXIMUM
    R
    ATINGS
    电源电压，V
    DD
    输入，V
    I
    产出，V
    O
    封装的热阻抗，
    θ
    JA
    8引脚SOIC
    8引脚TSSOP
    贮藏温度，T
    英镑
    T
    ABLE
    3A 。 P
    OWER
    S
    UPPLY
    DC ç
    极特
    ,
    V
    DD
    = 3.3V ± 5%, V
    DDO
    = 1.71V
    TO
    3.465V ，T
    A
    = -40°C
    TO
    85°C
    符号
    V
    DD
    V
    DDO
    I
    DD
    I
    DDO
    参数
    正电源电压
    输出电源电压
    电源电流
    输出电源电流
    测试条件
    最低
    3.135
    3.135
    2.375
    1.71
    典型
    3.3
    3.3
    2.5
    1. 8
    最大
    3.465
    3.465
    2.625
    1.89
    10
    3
    单位
    V
    V
    V
    V
    mA
    mA
    T
    ABLE
    3B 。 LVCMOS / LVTTL DC ç
    极特
    ,
    V
    DD
    = 3.3V ± 5%, V
    DDO
    = 2.375V
    TO
    3.465V ，T
    A
    = -40°C
    TO
    85°C
    符号
    V
    IH
    V
    IL
    I
    IH
    I
    IL
    V
    OH
    参数
    输入高电压
    输入低电压
    输入高电流
    输入低电平电流
    OE
    OE
    OE
    OE
    V
    DD
    = V
    IN
    = 3.465V
    V
    DD
    = 3.465V, V
    IN
    = 0V
    V
    DDO
    = 3.135V
    V
    DDO
    = 2.375V
    -150
    2.6
    1.8
    0.5
    测试条件
    最低
    2
    -0. 3
    典型
    最大
    V
    DD
    + 0.3
    0.8
    5
    单位
    V
    V
    µA
    µA
    V
    V
    V
    输出高电压;注1
    V
    OL
    输出低电压;注1
    注1 ：输出端接50
    Ω
    到V
    DDO
    / 2 。参见参数测量信息科
    "Output负载测试Circuit"图。
    T
    ABLE
    3C 。 LVCMOS / LVTTL DC ç
    极特
    ,
    V
    DD
    = 3.3V ± 5%, V
    DDO
    = 1.8V ±5％ ，T
    A
    = -40°C
    TO
    85°C
    符号
    V
    IH
    V
    IL
    I
    IH
    I
    IL
    V
    OH
    V
    OL
    83026BMI-01
    参数
    输入高电压
    输入低电压
    输入高电流
    输入低电平电流
    输出高电压
    输出低电压
    OE
    OE
    OE
    OE
    测试条件
    最低
    2
    -0.3
    典型
    最大
    V
    DD
    + 0.3
    0.8
    5
    单位
    V
    V
    µA
    µA
    V
    V
    V
    DD
    = V
    IN
    = 3.465V
    V
    DD
    = 3.465V, V
    IN
    = 0V
    I
    OH
    = -100µA
    I
    OH
    = -2mA
    I
    OL
    = 100µA
    I
    OL
    = 2毫安
    www.icst.com/products/hiperclocks.html
    3
    -150
    V
    DDO
    - 0.2
    V
    DDO
    - 0.45
    0. 2
    0.45
    V
    V
    REV 。一2006年1月16日

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