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IBM11M2645H-70 参数 Datasheet PDF下载

IBM11M2645H-70图片预览
型号: IBM11M2645H-70
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内容描述: [EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, PDMA168]
分类和应用: 动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 29 页 / 351 K
品牌: IBM [ IBM ]
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Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)  
IBM11M2645H  
IBM11M2645HB  
2M x 64 DRAM MODULE  
Read-Modify-Write-Cycle  
tRWC  
tRAS  
tRP  
VIH  
VIL  
RAS  
CAS  
tCSH  
tCRP  
tRCD  
tRSH  
VIH  
VIL  
tCAS  
tRAD  
tASR  
tASC  
tRAH  
tCAH  
VIH  
VIL  
Address  
Row  
Column  
tCWD  
tRWL  
tCWL  
tAWD  
tWRH  
tWRP  
tRWD  
tAA  
tWP  
VIH  
VIL  
NOTE 1  
WE  
OE  
tRCS  
tOEH  
VIH  
VIL  
tOEA  
tDZC  
tDH  
tDS  
tDZO  
VIH  
VIL  
DIN  
Hi-Z  
tCAC  
DIN  
tODD  
tCLZ  
tOEZ  
VOH  
VOL  
*
Hi-Z  
Hi-Z  
DOUT  
DOUT  
*
tRAC  
t
OEH greater than or equal to tCWL  
NOTE 1: Implementing WE at RAS time During a Read or Write Cycle is optional.  
: “H” or “L”  
Doing so will facilitate compatibility with future EDO DRAMs.  
©IBM Corporation. All rights reserved.  
Use is further subject to the provisions at the end of this document.  
50H4197  
SA14-4614-02  
Released 5/96  
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