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IBM11M2645H-70 参数 Datasheet PDF下载

IBM11M2645H-70图片预览
型号: IBM11M2645H-70
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内容描述: [EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, PDMA168]
分类和应用: 动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 29 页 / 351 K
品牌: IBM [ IBM ]
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Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)  
IBM11M2645H  
IBM11M2645HB  
2M x 64 DRAM MODULE  
Write Cycle (Late Write)  
tRC  
tRAS  
tRP  
VIH  
VIL  
RAS  
CAS  
tCSH  
tCRP  
tRCD  
tRSH  
VIH  
VIL  
tCAS  
tRAD  
tASR  
tASC  
tRAH  
tCAH  
VIH  
VIL  
Address  
Row  
Column  
tWRP  
tWRH  
tRCS  
tCWL  
VIH  
VIL  
tWP  
NOTE 1  
WE  
OE  
tRWL  
VIH  
VIL  
tOEH  
tDH  
tODD  
tDZO  
tDS  
tWRP  
tDZC  
VIH  
VIL  
DIN  
Hi-Z  
Valid Data In  
tOEZ  
tCLZ  
tOEA  
VOH  
VOL  
*
DOUT  
Hi-Z  
Hi-Z  
*
t
OEH greater than or equal to tCWL  
: “H” or “L”  
NOTE 1: Implementing WE at RAS time During a Read or Write Cycle is optional.  
Doing so will facilitate compatibility with future EDO DRAMs.  
©IBM Corporation. All rights reserved.  
Use is further subject to the provisions at the end of this document.  
50H4197  
SA14-4614-02  
Released 5/96  
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