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IBM01164B0T3-70 参数 Datasheet PDF下载

IBM01164B0T3-70图片预览
型号: IBM01164B0T3-70
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内容描述: [Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 X 0.825 INCH, 2 HIGH STACK, TSOJ-32]
分类和应用: 动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 25 页 / 253 K
品牌: IBM [ IBM ]
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IBM01164B0  
IBM01164D0  
4M x 4 Stacked DRAM  
Refresh Cycle  
-50  
-60  
-70  
Symbol  
Parameter  
Units  
Notes  
Min. Max. Min. Max. Min. Max.  
CAS Setup Time  
(CAS before RAS Refresh Cycle)  
tCSR  
tCHR  
tWRP  
5
5
5
ns  
ns  
ns  
CAS Hold Time  
(CAS before RAS Refresh Cycle)  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
WE Setup Time  
(CAS before RAS Refresh Cycle)  
WE Hold Time  
(CAS before RAS Cycle)  
tWRH  
tRPC  
10  
5
10  
5
10  
5
ns  
ns  
RAS Precharge to CAS Hold Time  
Refresh  
-50  
-60  
Max.  
64  
-70  
SYMBOL  
tREF  
Parameter  
Units  
ms  
Notes  
1
Min.  
Max.  
64  
Min.  
Min.  
Max.  
64  
Refresh Period  
1. 4096 cycles.  
©IBM Corporation. All rights reserved.  
Use is further subject to the provisions at the end of this document.  
28H4727  
GA14-4248-01  
Revised 11/96  
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