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    GM72V66841ELT-75 参数 Datasheet PDF下载

    GM72V66841ELT-75图片预览
    型号： GM72V66841ELT-75
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2,097,152字×8位×4银行同步动态RAM [2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM]
    分类和应用： 内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
    文件页数/大小： 10 页 / 90 K
    品牌： HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号GM72V66841ELT-75的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GM72V66841ELT-75的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GM72V66841ELT-75的Datasheet PDF文件第4页浏览型号GM72V66841ELT-75的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GM72V66841ELT-75的Datasheet PDF文件第7页浏览型号GM72V66841ELT-75的Datasheet PDF文件第8页浏览型号GM72V66841ELT-75的Datasheet PDF文件第9页浏览型号GM72V66841ELT-75的Datasheet PDF文件第10页  
    GM72V66841ET/ELT
    AC特性
    （大= 0〜 70℃ ，V
    CC
    , V
    CCQ
    = 3.3 V
    +/-
    0.3 V, V
    SS
    , V
    SSQ
    = 0 V)
    -7
    参数
    系统时钟
    周期
    (CL=2)
    (CL=3)
    符号
    最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
    - 75
    -8
    - 7K
    - 7J
    单位注
    10
    7
    2.5
    2.5
    -
    -
    2.7
    1.5
    -
    1.5
    0.8
    1.5
    0.8
    1.5
    1.5
    0.8
    1.5
    -
    -
    -
    -
    6
    5.4
    -
    -
    5.4
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    10
    7.5
    2.5
    2.5
    -
    -
    2.7
    1.5
    -
    1.5
    0.8
    1.5
    0.8
    1.5
    1.5
    0.8
    1.5
    -
    -
    -
    -
    6
    5.4
    -
    -
    5.4
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    10
    8
    3
    3
    -
    -
    3
    2
    -
    2
    1
    2
    1
    2
    2
    1
    2
    -
    -
    -
    -
    6
    6
    -
    -
    6
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    10
    10
    3
    3
    -
    -
    3
    2
    -
    2
    1
    2
    1
    2
    2
    1
    2
    -
    -
    -
    -
    6
    6
    -
    -
    6
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    15
    10
    3
    3
    -
    -
    3
    2
    -
    2
    1
    2
    1
    2
    2
    1
    2
    -
    ns
    -
    -
    -
    8
    ns
    6
    -
    -
    6
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    1, 2
    1, 2, 3
    1, 4
    1
    1
    1
    1
    1, 5
    1
    1
    1
    1, 2
    ns
    ns
    1
    1
    1
    CLK高脉冲宽度
    CLK低脉冲宽度
    存取时间
    从CLK
    (CL=2)
    (CL=3)
    数据输出保持时间
    CLK到数据输出低
    阻抗
    CLK到数据输出
    高阻抗
    （ CL = 2,3）
    数据的建立时间
    数据保持时间
    地址建立时间
    地址保持时间
    CKE建立时间
    CKE建立时间
    掉电退出
    CKE保持时间
    命令（ CS ， RAS ，
    CAS，WE ， DQM ）
    建立时间
    命令（ CS ， RAS ，
    CAS，WE ， DQM ）
    保持时间
    REF /主动为参考/活动
    指令周期
    至预充电
    指令周期
    主动命令
    列命令
    （同一银行）
    预充电到激活
    指令周期
    t
    CK
    t
    CK
    t
    长实
    t
    CKL
    t
    AC
    t
    AC
    t
    OH
    t
    LZ
    t
    HZ
    t
    DS
    t
    DH
    t
    AS
    t
    AH
    t
    CES
    t
    CESP
    t
    CEH
    t
    CS
    t
    CH
    t
    RC
    t
    RAS
    t
    RCD
    t
    RP
    0.8
    62
    42
    20
    20
    -
    -
    120000
    0.8
    65
    45
    20
    20
    -
    -
    120000
    1
    68
    48
    20
    20
    -
    -
    120000
    1
    70
    50
    20
    20
    -
    -
    120000
    1
    70
    50
    20
    20
    -
    -
    120000
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    1
    1
    1
    1
    1
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    修订版1.1 / Apr.01
    -6-

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