欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

GM72V66841ELT-75 参数 Datasheet PDF下载

GM72V66841ELT-75图片预览
型号: GM72V66841ELT-75
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 2,097,152字×8位×4银行同步动态RAM [2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小: 10 页 / 90 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号GM72V66841ELT-75的Datasheet PDF文件第1页浏览型号GM72V66841ELT-75的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GM72V66841ELT-75的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GM72V66841ELT-75的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GM72V66841ELT-75的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GM72V66841ELT-75的Datasheet PDF文件第7页浏览型号GM72V66841ELT-75的Datasheet PDF文件第8页浏览型号GM72V66841ELT-75的Datasheet PDF文件第9页  
GM72V66841ET/ELT
DC特性
(大= 0〜 70℃ ,V
CC
, V
CCQ
= 3.3 V +/- 0.3 V, V
SS
, V
SSQ
= 0 V)
-7
参数
操作
当前
在待机电流
掉电
在待机电流
掉电
(输入信号稳定)
在待机电流
非掉电
( CAS延时= 2 )
在待机电流
非掉电
(输入信号稳定)
主动待机电流
在掉电
主动待机电流
在掉电
(输入信号稳定)
主动待机电流
在非掉电
符号
最大
I
CC1
I
CC2P
85
最大
85
最大
80
2
2
I
CC2PS
0.4
I
CC2N
15
mA
mA
最大
80
最大
80
mA
mA
突发长度= 1
t
RC
=分钟
CKE = V
IL
,
t
CK
= 12 ns的
CKE = V
IL
,
t
CK
=无穷大
CKE , CS = V
IH
,
t
CK
=为12ns
CKE = V
IH
,
t
CK
=无穷大
CKE = V
IL
,
t
CK
= 12纳秒,
DQ =高阻
CKE = V
IL
,
t
CK
=无穷大
CKE , CS = V
IH
,
t
CK
= 12纳秒,
DQ =高阻
CKE = V
IH
,
t
CK
=无穷大
1, 2, 3
5
6
6,8
4
- 75
-8
-7K
-7J
单位测试条件
笔记
I
CC2NS
12
mA
4
I
CC3P
6
mA
1,2,5
I
CC3PS
5
mA
2,6
I
CC3N
30
mA
1,2,4
主动待机电流
在非掉电
I
CC3NS
(输入信号稳定)
BURST
操作
当前
(CL = 2)的
(CL = 3)的
I
CC4
I
CC4
I
CC5
I
CC6
150
150
20
mA
2,9
120
150
160
1
120
120
mA
mA
mA
mA
t
CK
=分钟
BL = 4
1,2,3
刷新当前
t
RC
=分钟
V
IH
& GT ; = V
CC
- 0.2
V
IL
<=0.2V
3
7
7,8
自刷新电流
0.4
修订版1.1 / Apr.01
-4-