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GM72V66841ELT-75 参数 Datasheet PDF下载

GM72V66841ELT-75图片预览
型号: GM72V66841ELT-75
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内容描述: 2,097,152字×8位×4银行同步动态RAM [2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小: 10 页 / 90 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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GM72V66841ET/ELT
DC特性
(大= 0〜 70℃ ,V
CC
, V
CCQ
= 3.3 V +/- 0.3 V, V
SS
, V
SSQ
= 0 V)
(续)
- 7 - 75 - 8 - 7K , - 7J
参数
符号
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
-1
-1.5
2.4
-
最大
1
1.5
-
0.4
uA
uA
V
V
0
& LT ; = Vin的& LT ; = V
CC
0<=Vout<=V
CC
DQ =取消
单位测试条件
笔记
I
OH
= -2毫安
I
OL
= 2毫安
注:1。我
CC
依赖于输出负载条件下,当被选择的设备。我
CC (
最大值)是在指定的
输出开路状态。
2.一家银行的操作。
3.地址是每一个周期改变一次。
4.地址是每两个周期更换一次。
5.在掉电模式下, CLK工作电流。
6.在掉电模式下,没有CLK工作电流。
7.在自刷新模式设置,自刷新电流。
8, L-版本。
9.输入信号为V
I H
或V
IL
固定的。
电容
(大= 25℃ ,V
CC
, V
CCQ
= 3.3 V
+/-0.3
V)
参数
输入电容( CLK )
输入电容(信号)
输出电容( DQ )
符号
C
I1
C
I2
C
O
分钟。
2.5
2.5
4.0
马克斯。
4
5
6.5
单位
pF
pF
pF
笔记
1, 3, 4
1, 3, 4
1, 2, 3, 4
注意事项: 1,电容用Boonton的仪表或有效电容测量方法测量。
2. DQM = V
I H
禁用Dout的。
3.这个参数进行采样,而不是100 %测试。
4.测量与1.4 V偏压和200mV的摆动,在被测的脚。
修订版1.1 / Apr.01
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