欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HY5PS12421BFP-Y5 参数 Datasheet PDF下载

HY5PS12421BFP-Y5图片预览
型号: HY5PS12421BFP-Y5
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 512MB DDR2 SDRAM [512Mb DDR2 SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 38 页 / 612 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号HY5PS12421BFP-Y5的Datasheet PDF文件第26页浏览型号HY5PS12421BFP-Y5的Datasheet PDF文件第27页浏览型号HY5PS12421BFP-Y5的Datasheet PDF文件第28页浏览型号HY5PS12421BFP-Y5的Datasheet PDF文件第29页浏览型号HY5PS12421BFP-Y5的Datasheet PDF文件第31页浏览型号HY5PS12421BFP-Y5的Datasheet PDF文件第32页浏览型号HY5PS12421BFP-Y5的Datasheet PDF文件第33页浏览型号HY5PS12421BFP-Y5的Datasheet PDF文件第34页  
1HY5PS12421B(L)FP  
1HY5PS12821B(L)FP  
1HY5PS121621B(L)FP  
Fig. -b Illustration of tangent line for tIS,tDS  
CK, DQS  
CK, DQS  
tIS,  
tDS  
tIH,  
tDH  
tIS,  
tDS  
tIH,  
tDH  
VDDQ  
nominal  
line  
VIH(ac)min  
VIH(dc)min  
tangent  
line  
VREF(dc)  
VIL(dc)max  
VIL(ac)max  
Tangent  
line  
V
REF to ac  
region  
Nomial  
line  
Vss  
Delta TR  
Setup Slew Rate  
Rising Signal  
Tangent line[VIH(ac)min-VREF(dc)]  
Delta TR  
=
Delta TF  
Tangent line[VREF(dc)-VIL(ac)max]  
Delta TF  
Setup Slew Rate  
Falling Signal  
=
Rev. 0.7 / Oct. 2007  
30  
 复制成功!