FDN338P 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDN338P
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内容描述：	20 V P沟道增强型MOSFET [20 V P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 1906 K
品牌：	HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]

FDN338P

20V P沟道增强型MOSFET

源极 - 漏极二极管正向电压

导通电阻与栅极至源极电压

0.6

0.5

R DS（ON ） - 导通电阻（

)

I S - 源电流（ A）

= 150_C

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

= 2.8 A

= 25_C

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

- 源极到漏极电压（V ）

- 栅极 - 源极电压（ V）

0.4

0.3

V GS （ TH）方差（V ）

0.2

0.1

0.0

- 0.1

- 0.2

- 50

阈值电压

功率（W）的

单脉冲功率

= 250

= 25_C

单脉冲

- 温度（℃ ）

100

150

0.01

0.10

1.00

时间（秒）

10.00

占空比= 0.5

标准化的有效瞬态

热阻抗

归瞬态热阻抗，结到环境

0.2

0.1

0.05

0.02

单脉冲

-3

-2

-1

0.1

0.01

-4

方波脉冲持续时间（秒）

４

金隅

半导体

www.htsemi.com

Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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