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    FDN338P 参数 Datasheet PDF下载

    FDN338P图片预览
    型号： FDN338P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 20 V P沟道增强型MOSFET [20 V P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 1906 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号FDN338P的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDN338P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDN338P的Datasheet PDF文件第4页  
    FDN338P
    20V P沟道增强型MOSFET
    电气特性
    参数
    STATIC
    漏源击穿电压
    漏源导通电阻
    栅极阈值电压
    零栅极电压漏极电流
    门体漏
    正向跨导
    动态
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    导通延迟时间
    开启上升时间
    打开-O FF延迟时间
    关断下降时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    源极 - 漏极二极管
    马克斯。二极管的正向电流
    二极管的正向电压
    1)
    1)
    1)
    符号
    测试条件
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    单位
    BV
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    I
    DSS
    I
    GSS
    g
    fs
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = -250uA
    V
    GS
    = -4.5V ，我
    D
    = -1.6A
    V
    GS
    = -2.5V ，我
    D
    = -1.3A
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    D
    = -250uA
    V
    DS
    = -16V, V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    = ± 8V, V
    DS
    = 0V
    V
    DS
    = -5V ，我
    D
    = -2.8A
    -20
    88
    116
    -0.42
    115
    V
    mΩ
    160
    -1.5
    -1
    ±100
    6.5
    V
    uA
    nA
    S
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    5.8
    V
    DS
    = -6V ，我
    D
    ^
    -2.8A
    V
    GS
    = -4.5V
    1.7
    13
    V
    DD
    = -6V ，RL = 6Ω
    I
    D
    ^
    -1.A ，V
    根
    = -4.5V
    R
    G
    = 6
    Ω
    36
    42
    34
    415
    V
    DS
    = -6V, V
    GS
    = 0V
    223
    F = 1.0 MHz的
    87
    0.85
    10
    nC
    25
    60
    ns
    70
    60
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    pF
    I
    S
    V
    SD
    I
    S
    = -1.6A ，V
    GS
    = 0V
    -0.8
    -1.6
    A
    -1.2
    V
    脉冲测试：脉冲宽度< = 300US ，值班cycle< = 2 ％
    ２
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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