FDN338P 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDN338P
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内容描述：	20 V P沟道增强型MOSFET [20 V P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 1906 K
品牌：	HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]

FDN338P

20V P沟道增强型MOSFET

VDS = -20V

RDS （ ON ）， Vgs@-4.5V ， Ids@-1.6A=

115m

Ω

RDS （ ON ）， Vgs@-2.5V ， Ids@-1.3A=

155m

Ω

特点

先进的加工技术

对于超低导通电阻高密度电池设计

包装尺寸

SOT-23(PACKAGE)

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

2.70

3.10

2.40

2.80

1.40

1.60

0.35

0.50

0.10

0.45

0.55

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

1.90 REF 。

1.00

1.30

0.10

0.20

0.40

0.85

1.15

0°

10°

最大额定值和热特性（ TA = 25℃除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

最大功率耗散

符号

极限

单位

, T

英镑

-20

±8

-1.6

-5

0.5

-55到150

100

166

工作结存储温度范围

结至环境热阻（PCB安装）

thJA

C / W

笔记

脉冲宽度有限的最高结温。

表面安装在FR4板，T

5秒。

表面安装在FR4板。

１　

金隅

半导体

www.htsemi.com

Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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