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H3055LJ 参数 Datasheet PDF下载

H3055LJ图片预览
型号: H3055LJ
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内容描述: N沟道增强型MOSFET ( 20V , 13A ) [N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 13A)]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 46 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
电气特性
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
符号
STATIC
BV
DSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
g
FS
动态
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 10V ,我
D
= 1A ,V
GS
=4.5V
R
=6Ω
V
DS
=8V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
V
DS
= 10V ,我
D
= 6A ,V
GS
=4.5V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
漏源击穿电压
漏源导通电阻
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
正向跨导
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
V
GS
= 2.5V ,我
D
=5.2A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=6A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
GS
=±12V, V
DS
=0V
V
DS
= 10V ,我
D
=6A
20
-
-
0.6
-
-
7
特征
测试条件
分钟。
规格。编号: MOS200606
发行日期: 2006年3月1日
修订日期: 2006年5月4日
页页次: 2/4
典型值。
马克斯。
单位
-
34
25
-
-
-
13
-
45
35
1.5
1
±100
-
V
mΩ
V
uA
nA
S
4.86
0.92
1.4
562
106
75
8.1
9.95
21.85
5.35
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
-
-
pF
nC
漏源二极管的特性
I
S
V
SD
二极管的最大正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0V时,我
S
=1.7A
-
-
-
-
1.7
1.2
A
V
注:脉冲测试:脉冲宽度
≤300us,
值班Cycle≤2 %
开关
测试电路
V
DD
t
D(上)
t
on
t
r
开关
波形
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
90%
90%
R
D
V
IN
V
R
G
G
S
输入,V
IN
10%
脉冲宽度
50%
50%
90%
D
V
OUT
输出,V
OUT
10%
10%
H3055LJ
HSMC产品规格