H3055LJ 参数 Datasheet PDF下载

型号：	H3055LJ
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET （ 20V ， 13A ） [N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 13A)]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 46 K
品牌：	HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]

HI- SINCERITY

微电子股份有限公司。

规格。编号： MOS200606

发行日期： 2006年3月1日

修订日期： 2006年5月4日

页页次： 1/4

H3055LJ

N沟道增强型MOSFET （ 20V ， 13A ）

H3055LJ引脚分配

TAB

3引脚塑封

TO-252

封装代码：J-

引脚1 ：门

2脚&标签：排水

引脚3 ：源

描述

这N沟道2.5V指定的MOSFET是先进的坚固大门版本

沟工艺。它已被优化的电源管理应用与

广泛的栅极驱动电压（ 2.5V - 10V ）

内部原理

图

特点

•

DS （ ON）

=45mΩ@V

= 2.5V ，我

= 5.2A ; ř

DS （ ON）

=35mΩ@V

= 4.5V ，我

=6A

•

对于超低导通电阻高密度电池设计

•

高功率和电流移交能力

•

充分界定雪崩电压和电流

•

非常适用于锂离子电池应用

应用

•

电池保护

•

负荷开关

•

电源管理

绝对最大额定值

（T = 25℃，除非另有说明）

符号

, T

英镑

θJA

漏源电压

栅源电压

漏电流（连续）

漏电流（脉冲）

参数

评级

±12

1.3

-55到+150

62.5

单位

°C

° C / W

总功率耗散@T

=25

总功率耗散@T

=75

工作和存储温度范围

热阻结到环境

* 1：最大直流电流受限于包

* 2： 1中

2盎司铜PCB板

H3055LJ

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