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HCPL3120 参数 Datasheet PDF下载

HCPL3120图片预览
型号: HCPL3120
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内容描述: 2.0安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器 [2.0 Amp Output Current IGBT Gate Drive Optocoupler]
分类和应用: 栅极光电双极性晶体管栅极驱动
文件页数/大小: 18 页 / 489 K
品牌: HP [ HEWLETT-PACKARD ]
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H C P L-3 1 2 0 /H C N W 3 1 2 0  
前式4.25mA I 5mA I 40℃時図  
CC CC  
それぞれのアプリケーションにおいてード設計及び部品  
配置によっqCA は違いますがずれにせよTJE TJD は、  
125℃以下に押さえる必要があります。  
7を使った比例計算によ90℃時I 大値として求めて  
CC  
います。  
この場合PO PO(max)を越えるのRgはHCPL-3120消費  
電力を押さえる為に大きくします。  
LED 動回路  
CM R 性の理由  
PO (SW ITCHING M AX)  
= PO (M AX)-PO (BIAS)  
= 178mW -85mW  
= 93mW  
ディテクタシールドがなければフォトカプラCM R 良は  
29示すようにフォトカプラの入力側からディテクIC  
への容量結合によるものが主な原因となりますHCPL-3120  
は透明な薄いファラデーシールドを持つディテクIC 用  
CM R 性能を改善しています。これで、容量結合によ  
り誘起された雑音電流を逃がす事によって感度なIC路  
部を守りますかし図30に示す通りのシールドはLED  
とフォトカプラの5~8ピン間の容量結合までを取り去るこ  
とはできませんの場合の容量結合は同相雑音によるLED  
電流みだれの原因となり、シールドされたカプラCM R 不  
良の主な原因となりますCM R LED 動回路は同相雑音  
があってもLED 正しい状オン/オフしておくとい  
うことで達成できますえば推奨応用回25はシ  
ンプルな回路15kV/µsCM R 実現できます。LED 正  
しい状態に保つ技術2の場合に分け説明します。  
PO (SW ITCHINGM AX)  
ESW (M AX)  
=
=
f
93mW  
= 4.65µW  
20kHz  
図27よりQg=500nC場合E =4,65µW の時にRg=10.3  
になります。  
SW  
温度モデル  
HCPL-3120安定した状態での温度モデルを28示しま  
のモデルの温度抵抗値はある動作状態のそれぞれの点  
での温度を計算する為に使われます。発生した総ての熱は、  
熱抵θCA を通りれに比例してケース温TC を上昇させ  
ますθCA 計に依存しますθCA 83℃/W いう値は、  
グランド層もなくいパターンを引い2.5×2.5インチ角  
のPC 板の中央に1個HCPL-3120半田付けをした無  
風状態での実測値です。絶対最大消費電力値は、θCA 83℃  
を前提に決めています29に示す度モデルを使いLED  
と受IC 接合温度は次の式で表せます。  
6
TJE =PE(θLC | |(θLD+θDC)+θCA  
)
θ
LCθDC  
θLC+θDC+θLD  
LCθDC  
θLC+θDC+θLD  
+PD・  
(
+θCA  
+θCA  
)
+TA  
θ
TJD=PE  
(
)
+PD(θLD | |(θLD +θLC)+θCA)+TA  
28θLC θDC の値を代入して  
TJE = PE(256℃/W + θCA)  
+ PD(57℃/W + θCA)+TA  
TJD = PE(57℃/W + θCA)  
+ PD(111℃/W + θCA)+TA  
図27IGBTイッチング周期による  
HCPL-3120のエネルギー浪費ꢀꢀ  
例としてPE 45mW ,Po250mW ,TA 70℃θCA 83℃/  
W を、代入すると、  
TJE = PE 339℃/W + PD 140℃/W + TA  
= 45mW 339℃/W + 250mW  
140℃/W + 70= 120℃  
TJD = PE 140℃/W + PD 194℃/W + TA  
= 45mW 140℃/W + 250mW  
194℃/W + 70= 125℃  
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