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618LP3E 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 618LP3E
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内容描述: 砷化镓pHEMT的SMT低噪声放大器, 1.2 - 2.2 GHz的 [GaAs SMT pHEMT LOW NOISE AMPLIFIER, 1.2 - 2.2 GHz]
分类和应用: 放大器
文件页数/大小: 14 页 / 952 K
品牌: HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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HMC618LP3 / 618LP3E
v08.1210
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器, 1.2 - 2.2 GHz的
7
放大器 - 低噪声 - SMT
0
+25C
+85C
- 40C
一七零零年至2200年兆赫收听
输出回波损耗随温度的变化
[1]
反向隔离与温度的关系
[1]
0
-5
-10
隔离度(dB )
-15
-20
-25
-30
-35
-25
1.6
1.7
1.8
1.9
2
2.1
频率(GHz )
2.2
2.3
-40
1.6
1.7
1.8
1.9
2
2.1
频率(GHz )
2.2
2.3
+25C
+85C
- 40C
-5
回波损耗(分贝)
-10
-15
-20
噪声系数与温度
[1] [2] [3]
1.6
1.4
噪声系数(dB )
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1.6
1.7
1.8
1.9
2
2.1
频率(GHz )
2.2
2.3
-40C
+25 C
Vdd=5V
Vdd=3V
+85C
输出P1dB为与温度的关系
[1] [2]
24
22
20
P1dB的( DBM)
18
16
14
12
10
1.6
1.7
1.8
1.9
频率(GHz )
2
2.1
+25C
+85C
- 40C
Vdd=3V
Vdd=5V
PSAT与温度的关系
[1] [2]
24
22
20
PSAT ( DBM)
18
Vdd=3V
Vdd=5V
输出IP3与温度的关系
[1] [2]
40
38
36
IP3 ( dBm的)
34
32
30
28
26
24
1.6
1.7
Vdd=3V
+25C
+85C
- 40C
Vdd=5V
16
14
12
10
1.6
1.7
1.8
1.9
频率(GHz )
2
2.1
+25C
+85C
-40C
1.8
1.9
2
2.1
2.2
2.3
频率(GHz )
[1] VDD = 5V , RBIAS = 470欧姆[ 2 ] VDD = 3V , RBIAS = 10K欧姆
在评价PCB图中所示[ 3 ]测量基准面。
7-3
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