HMC618LP3 / 618LP3E
v08.1210
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器， 1.2 - 2.2 GHz的
特点
噪声系数： 0.75分贝
增益： 19分贝
OIP3 ： 36 dBm的
单电源： + 3V至+ 5V
50欧姆匹配输入/输出
16引脚3x3mm的SMT封装： 9毫米
2
7
放大器 - 低噪声 - SMT
典型应用
该HmC618lp3e是理想的：
•蜂窝/ 3G和LTE / WIMAX / 4G
• &的BT基础设施
•中继器和微微细胞
•公共安全无线电
工作原理图
概述
该HmC618lp3e是GaAs PHEMT MMIC
低噪声放大器，非常适合蜂窝/ 3G和
LTE / WIMAX / 4G基站前端接收器
2.2 GHz的 - 1.2之间运行。该放大器具有
经过优化，以提供0.75分贝噪声系数，
19分贝增益，从一个单一的+36 dBm的输出IP3
供给+ 5V 。输入和输出回波损耗
匠心独运的LNA仅需最少的外部
匹配和偏置去耦元件。该
HmC618lp3e共享相同的封装和引脚
与HmC617lp3e 0.55 - 1.2 GHz的低噪声放大器。该
HmC618lp3e可以与+ 3V，被偏置到+ 5V和
拥有一个外部可调电源电流
这允许设计人员量身打造的线性度
在LNA的每个应用程序的性能。该
HmC618lp3 （五）提供了改进的噪声系数与
之前公布的HmC375lp3 （ E）和
HmC382lp3(e).
电气规格
T
A
= + 25 ° C， Rbias两端= 470欧姆的VDD1 = VDD2 = 5V
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率为1分贝
压缩（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流（ IDD）
* RBIAS电阻设定电流，请参阅应用电路这里
14.5
19
VDD = 5 VDC
分钟。
典型值。
1200 - 1700
23
0.012
0.65
22.5
13
19
20.5
33.5
89
118
16.5
0.85
16
马克斯。
分钟。
典型值。
1700 - 2000
19
0.008
0.75
18
12.5
20
20.5
35
89
118
18
1.1
13.5
马克斯。
分钟。
典型值。
2000 - 2200
17
0.008
0.85
19.5
10
20
20.5
35.5
89
118
1.15
马克斯。
单位
兆赫
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
7-1
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