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618LP3E 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 618LP3E
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内容描述: 砷化镓pHEMT的SMT低噪声放大器, 1.2 - 2.2 GHz的 [GaAs SMT pHEMT LOW NOISE AMPLIFIER, 1.2 - 2.2 GHz]
分类和应用: 放大器
文件页数/大小: 14 页 / 952 K
品牌: HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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HMC618LP3 / 618LP3E
v08.1210
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器, 1.2 - 2.2 GHz的
7
放大器 - 低噪声 - SMT
增益与温度
[1]
28
26
24
1700至00年兆赫收听
增益与温度
[2]
28
26
24
增益(dB )
增益(dB )
22
20
18
16
1
1.1
1.2
+25C
+85C
- 40C
22
20
18
16
+25C
+85C
- 40C
1.3
1.4
1.5
频率(GHz )
1.6
1.7
1.8
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
频率(GHz )
1.6
1.7
1.8
输入回波损耗随温度的变化
[1]
0
-5
回波损耗(分贝)
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
+25C
+85C
-40C
输入回波损耗随温度的变化
[2]
0
回波损耗(分贝)
-10
+25 C
+85 C
- 40 C
-20
-30
-40
1
1.1
1.2
频率(GHz )
1.3
1.4
1.5
频率(GHz )
1.6
1.7
1.8
输出回波损耗随温度的变化
[1]
0
输出回波损耗随温度的变化
[2]
0
+25 C
+85 C
- 40 C
回波损耗(分贝)
回波损耗(分贝)
1.6
1.7
1.8
-5
+25C
+85C
-40C
-5
-10
-10
-15
-15
-20
-20
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1
1.1
1.2
频率(GHz )
1.3
1.4
1.5
频率(GHz )
1.6
1.7
1.8
[1] VDD = 5V , RBIAS = 470欧姆
[2] VDD = 3V , RBIAS = 10K欧姆
7-7
对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
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