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    484MS8GE 参数 Datasheet PDF下载

    484MS8GE图片预览
    型号： 484MS8GE
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 砷化镓MMIC 10 WATT T / R开关DC - 3 GHz的 [GaAs MMIC 10 WATT T/R SWITCH DC - 3 GHz]
    分类和应用： 开关
    文件页数/大小： 8 页 / 619 K
    品牌： HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
     浏览型号484MS8GE的Datasheet PDF文件第1页浏览型号484MS8GE的Datasheet PDF文件第2页浏览型号484MS8GE的Datasheet PDF文件第3页浏览型号484MS8GE的Datasheet PDF文件第4页浏览型号484MS8GE的Datasheet PDF文件第5页浏览型号484MS8GE的Datasheet PDF文件第6页浏览型号484MS8GE的Datasheet PDF文件第8页  
    HMC484MS8G / 484MS8GE
    引脚说明
    引脚数
    1
    2
    3, 5, 8
    4
    D
    E
    U
    IN
    T
    N
    O
    T
    C
    C
    S
    U
    I
    D
    D
    O
    R
    P
    v04.0608
    功能
    A
    描述
    见真值表和控制电压表。
    B
    见真值表和控制电压表。
    RFC ， RF1 ， RF2
    该引脚的直流耦合，匹配50欧姆。
    隔直电容是必需的。
    VDD
    GND
    砷化镓MMIC 10 WATT T / R开关
    DC - 3 GHz的
    接口示意图
    6, 7
    不
    结束
    m
    om
    REC
    电源电压
    新
    为
    ed
    s
    IGN
    DES
    包装底部还必须
    被连接到PCB上的RF接地。
    11
    开关 - SPDT T / R - SMT
    典型应用电路
    注意事项：
    1.设置逻辑门和开关VDD = + 3V至+ 10V和使用HCT系列逻辑提供TTL驱动器接口。
    2.控制输入A / B可直接驱动CMOS逻辑（ HC）与Vdd的+3至+10 V应用到CMOS
    逻辑门和引脚4的RF开关。
    3.隔直流电容器所需要的每个RF端口，如图所示。电容值决定最低频率
    的操作。
    4.最高的射频信号功率能力与V设置为+ 10V达到。该交换机能够正常工作（但在较低
    RF功率能力）的偏置电压低至3V + 。
    11 - 7
    对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
    20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
    为了在网上www.hittite.com

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