插入损耗与温度的关系
0
-0.5
插入损耗（dB ）
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
0
0.5
D
E
U
IN
T
N
O
T
C
C
S
U
I
D
D
O
R
P
v04.0608
HMC484MS8G / 484MS8GE
砷化镓MMIC 10 WATT T / R开关
DC - 3 GHz的
隔离
0
-10
隔离度（dB ）
-20
+25 C
+85 C
-40 C
-30
-40
1
1.5
2
2.5
频率（GHz ）
不
结束
m
om
REC
3
3.5
-50
新
为
ed
0
0.5
1
s
IGN
DES
RF1
RF2
1.5
2
2.5
频率（GHz ）
3
3.5
插入损耗与偏置电压（VDD ）
0
-0.5
插入损耗（dB ）
隔离与偏置电压（VDD ）
0
11
开关 - SPDT T / R - SMT
11 - 2
-10
隔离度（dB ）
3伏
+5伏
8伏
+10伏
-1
3伏
+5伏
8伏
+10伏
-20
-1.5
-2
-30
-2.5
-3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
频率（GHz ）
3
3.5
-40
-50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
频率（GHz ）
3
3.5
回波损耗
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
0
0.5
1
1.5
2
2.5
频率（GHz ）
3
3.5
RFC
RF1 ， RF2
RF1到RF2隔离
0
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
全部关闭
RF1上
RF2上
-40
-50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
频率（GHz ）
3
3.5
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