HMC484MS8G / 484MS8GE
偏置电压电流&
VDD （VDC ）
+3
+5
+8
+10
控制电压
状态
低
高
D
E
U
IN
T
N
O
T
C
C
S
U
I
D
D
O
R
P
v04.0608
砷化镓MMIC 10 WATT T / R开关
DC - 3 GHz的
绝对最大额定值
RF输入功率（ VCTL = 0V / + 8V ）
（ 0.5 - 3 GHz的）
电源电压范围（ VDD）
（ VCTL = 0V ）
典型的国际直拨电话（ μA ）
0.5
10
40 dBm的（T = 85 ° C）
13伏直流
50
75
控制电压范围（A & B）
热开关电源电平
（ VDD = + 8V ）
通道温度
偏置条件
0至+0.2伏@ 10 μA典型
VDD ± 0.2伏@ 10 μA典型
11
开关 - SPDT T / R - SMT
真值表
控制输入（ VCTL ）
A
高
低
低
B
低
高
低
不
结束
m
om
REC
RFC到RF2
On
关闭
关闭
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免25毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
新
为
ed
s
IGN
DES
39 dBm的
150 °c
1.6 w
40 ºC / W
-65至+150°C
-40至+85 ºC
1A级
VDD - 13 Vdc至VDD + 0.7伏
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
信号路径状态
RFC到RF1
关闭
On
关闭
注：隔直流电容器，需要在港口RFC ，
RF1和RF2 。它们的值将确定的最低传输
任务的频率。
静电敏感器件
观察处理注意事项
典型的0.5到3.0 GHz的
压缩与偏置电压（VDD ）
偏见的Vdd
（伏）
+3
+5
+8
+10
输入功率0.1分贝
压缩
（ dBm的）
32
36
39
>40
输入功率1.0分贝
压缩
（ dBm的）
35.5
40
>40
>40
11 - 5
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