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327MS8GE 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	327MS8GE
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内容描述：	砷化镓的InGaP HBT MMIC 1/2瓦功放， 3 - 4 GHz的 [GaAs InGaP HBT MMIC 1/2 WATT POWER AMPLIFIER, 3 - 4 GHz]
分类和应用：	功率放大器
文件页数/大小：	6 页 / 209 K
品牌：	HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]

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HMC327MS8G / 327MS8GE

v05.0509

砷化镓的InGaP HBT MMIC

1/2瓦功率的功放， 3 - 4 GHz的

PCB评价

11

线性&功率放大器 - SMT

11 - 7

材料的评价PCB 104991一览

[1]

项

J1 - J2

J3

C1 - C3

C4

C5

C6

L1

R1

U1

PCB

[2]

描述

印刷电路板安装SMA射频连接器

2毫米DC头

330 pF的电容， 0603 PKG 。

1.2 pF电容， 0603 PKG 。

2 pF电容， 0402 PKG 。

2.2 μF电容，钽电容

3 nH的电感， 0805 PKG 。

130欧姆的电阻， 0603 PKG 。

HMC327MS8G （ E）放大器

104829评估板

在应用程序中使用的电路板应

使用RF电路设计技术。信号线sho-

ULD具有50欧姆的阻抗，而包

接地导线和裸露焊盘应CON

直接连类似地平面

如图所示。通孔足够数量应为

用于连接的顶部和底部的接地层。

该评估板应安装一个

合适的散热器。评估电路板

显示可从赫梯要求。

[1]订购完整的评估电路板时参考此号码

[ 2 ]电路板材质：罗杰斯4350

对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：

20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373

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