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型号: 327MS8GE
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内容描述: 砷化镓的InGaP HBT MMIC 1/2瓦功放, 3 - 4 GHz的 [GaAs InGaP HBT MMIC 1/2 WATT POWER AMPLIFIER, 3 - 4 GHz]
分类和应用: 功率放大器
文件页数/大小: 6 页 / 209 K
品牌: HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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HMC327MS8G
/
327MS8GE
v06.1209
砷化镓的InGaP HBT MMIC
1/2瓦功率的功放, 3 - 4 GHz的
典型应用
该HMC327MS8G ( E)是理想的:
•无线本地环路
• &的WiMAX固定无线
•接入点
特点
高增益: 21分贝
饱和功率: +30 dBm的@ 45 % PAE
输出P1dB为+27 dBm的
单电源: + 5V
掉电功能
低外部元件数量
紧凑型MSOP封装: 14.8毫米
2
11
线性&功率放大器 - SMT
•用户设备
工作原理图
概述
该HMC327MS8G ( E)是一种高效率砷化镓
的InGaP异质结双极晶体管( HBT ) MMIC
功率放大器,其工作3至4 GHz的。
放大器被封装在一个较低的成本,表面钼
UNT 8引线封装,带有裸基地
改进的射频性能和热性能。随着微型
外部元件的妈妈,放大器提供
21分贝增益,饱和功率为+30 dBm的45 %
PAE从单一的+ 5V电源。掉电功能
是可用的,以节省电流消耗时
放大器是没有被使用。
电气电源规格,
T
A
= +25 ° C, VS = 5V , VCTL = 5V
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率的1dB压缩( P1dB为)
饱和输出功率( PSAT )
输出三阶截取点( IP3 )
噪声系数
电源电流(WinSock )
控制电流( IPD )
开关速度
*请参阅应用电路进行偏置配置。
VCTL * = 0V / 5V
VCTL * = 5V
吨, Toff的
36
24
17
分钟。
典型值。
3-4
21
0.025
15
8
27
30
40
5
0.002 / 250
7
40
24
0.035
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
mA
ns
11 - 2
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20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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