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型号: 327MS8GE
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内容描述: 砷化镓的InGaP HBT MMIC 1/2瓦功放, 3 - 4 GHz的 [GaAs InGaP HBT MMIC 1/2 WATT POWER AMPLIFIER, 3 - 4 GHz]
分类和应用: 功率放大器
文件页数/大小: 6 页 / 209 K
品牌: HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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HMC327MS8G / 327MS8GE
v05.0509
砷化镓的InGaP HBT MMIC
1/2瓦功率的功放, 3 - 4 GHz的
引脚说明
引脚数
功能
描述
接口示意图
1
VPD
11
线性&功率放大器 - SMT
2, 4, 7
GND
3
RFIN
电源控制引脚。对于适当的控制偏差,此引脚应CON
连接至5V通过130欧姆的串联电阻。更高的电压
不推荐使用。为降低无功电流,该电压可以降低。
地面:包背面有裸露的金属接地焊盘,
必须连接到地直通短路径。该设备在过孔
是必需的。
该引脚交流耦合
并匹配到50欧姆。
5, 6
RFOUT
RF输出和偏置输出级。对于电源
输出设备需要被提供给这些引脚。
8
VCC
电源电压对所述第一放大器级。一个外部旁路
330 pF的电容。该电容应尽可能
靠近器件成为可能。
应用电路
TL1
阻抗
50 OHM
0.038”
TL2
50 OHM
0.231”
TL3
50 OHM
0.1”
注: C3应该从引脚8 ( VCC)位于<0.020 “
注: C2应该从L1位于< 0.020 “
11 - 6
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com