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2SA1193 参数 Datasheet PDF下载

2SA1193图片预览
型号: 2SA1193
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内容描述: PNP硅外延,达林顿 [Silicon PNP Epitaxial, Darlington]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 37 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SA1193(K)
饱和电压与
集电极电流
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
–10
I
C
= 500 I
B
脉冲
–3
TA = 25°C
V
BE ( SAT )
开关时间t(微秒)
10
3
1.0
t
英镑
0.3
0.1
0.03
–0.1
–10
0.01
–10
I
C
= 500 I
B
TA = 25°C
–100
–300
–30
收藏家Curret我
C
(MA )
–1,000
t
on
t
d
t
关闭
开关时间与集电极电流
–1.0
V
CE ( SAT )
–0.3
75°C
–30
–100
–300
集电极电流I
C
(MA )
–1,000
开关时间测试电路
I
C
V
IN
R
1
V
IN
TR , TF
& LT ;
10纳秒
=
PW
& GT ;
10
µs
=
占空比
& LT ;
10 %
=
R
2
50
V
RB
6V
I
B1
I
B2
0.002
µ
响应波形
D.U.T.
R
3
0.002
µ
10%
输入
–10 V
0
产量
t
d
t
on
90%
t
英镑
10%
90%
t
关闭
10%
90%
+ –
50
µ
+ –
50
µ
V
CC
4