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2SA1193 参数 Datasheet PDF下载

2SA1193图片预览

型号：	2SA1193
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	PNP硅外延，达林顿 [Silicon PNP Epitaxial, Darlington]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 37 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

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2SA1193(K)

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

i

C（峰值）

P

C

Tj

TSTG

评级

–60

–60

–7

–0.5

–1.0

0.9

150

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

W

°C

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号

民

–60

—

—

2000

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

—

0.3

0.9

最大

—

–1.0

–1.0

—

–1.5

–2.0

—

—

V

V

µs

µs

I

C

= -250毫安

I

B1

= –I

B2

= -0.5毫安

单位

V

µA

µA

测试条件

I

C

= -1毫安，R

BE

=

∞

V

CB

= -60 V，I

E

= 0

V

EB

= -7 V，I

C

= 0

V

CE

= -3 V，I

C

= -250毫安*

1

I

C

= -250毫安，我

B

= -0.5毫安*

1

集电极到发射极击穿V

（ BR ） CEO

电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流传输比

集电极到发射极饱和

电压

基地发射极饱和

电压

启动时间

关闭时间

注意：

1.脉冲测试

I

CBO

I

EBO

h

FE

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

t

on

t

关闭

2

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