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    2SA1193 参数 Datasheet PDF下载

    2SA1193图片预览
    型号： 2SA1193
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅外延，达林顿 [Silicon PNP Epitaxial, Darlington]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 37 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SA1193的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SA1193的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA1193的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SA1193的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SA1193的Datasheet PDF文件第6页  
    2SA1193(K)
    最大集电极耗散曲线
    0.9
    集电极耗散功率P
    C
    (W)
    集电极电流I
    C
    (A)
    –3
    –1.0
    0.6
    –0.3
    –0.1
    –0.03
    –0.01
    –0.003
    –3
    i
    C（峰值）
    I
    C（最大值）
    安全工作区
    PW
    =1
    m
    0毫秒1
    =1
    s1
    ot
    sh
    ot
    sh
    PW
    TA = 25°C
    PW
    =1
    1
    ms
    00
    t
    笑
    0.3
    0
    50
    100
    150
    环境温度Ta （C ）
    –10
    –30
    –100
    –300
    集电极Emiter电压V
    CE
    (V)
    典型的输出特性
    –500
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    –1
    00
    直流电流传输比主场迎战
    集电极电流
    100,000
    直流电流传输比H
    FE
    30,000
    10,000
    3,000
    1,000
    300
    100
    –10
    V
    CE
    = –3 V
    脉冲
    –30
    –100
    –300
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    –1,000
    TA = 75
    °C
    25
    °C
    –400
    0
    –8
    0
    –6
    –40
    –300
    P
    C
    =
    –20
    0.
    9W
    –200
    –10
    –100
    –5
    µA
    I
    B
    = 0
    0
    –2
    –4
    –6
    –8
    –10
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    3

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