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    ATC700B102FT50XT 参数 Datasheet PDF下载

    ATC700B102FT50XT图片预览
    型号： ATC700B102FT50XT
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET [RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
    文件页数/大小： 13 页 / 863 K
    品牌： FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
     浏览型号ATC700B102FT50XT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ATC700B102FT50XT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ATC700B102FT50XT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ATC700B102FT50XT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ATC700B102FT50XT的Datasheet PDF文件第8页浏览型号ATC700B102FT50XT的Datasheet PDF文件第9页浏览型号ATC700B102FT50XT的Datasheet PDF文件第10页浏览型号ATC700B102FT50XT的Datasheet PDF文件第11页  
    Z
    o
    = 10
    Ω
    Z
    source
    Z
    load
    f = 1300 MHz
    f = 1300 MHz
    V
    DD
    = 50 Vdc, I
    DQ
    = 100 mA, P
    out
    = 250 W Peak
    f
    MHz
    1300
    Z
    source
    Ω
    5.32 + j4.11
    Z
    load
    Ω
    1.17 + j1.48
    Z
    source
    = Test circuit impedance as measured from
    gate to ground.
    Z
    load
    = Test circuit impedance as measured from
    drain to ground.
    Device
    Under
    Test
    Output
    Matching
    Network
    Input
    Matching
    Network
    Z
    source
    Z
    load
    Figure 13. Series Equivalent Source and Load Impedance — Pulsed
    MRF6V13250HR3 MRF6V13250HSR3
    RF Device Data
    Freescale Semiconductor
    7

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