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A01TKLC 参数 Datasheet PDF下载

A01TKLC图片预览
型号: A01TKLC
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内容描述: RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET [RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 20 页 / 1270 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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TYPICAL CHARACTERISTICS — DVB- (8k OFDM)
-T
100
10
PROBABILITY (%)
1
(dB)
0.1
0.01
0.001
0.0001
--20
--30
--40
--50
--60
DVB--T (8k OFDM)
64 QAM Data Carrier Modulation
5 Symbols
--70
--80
--90
--100
--110
0
2
4
6
8
10
12
--5
--4
--3
--2
--1
0
1
2
3
4
5
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
f, FREQUENCY (MHz)
ACPR Measured at 4 MHz Offset
from Center Frequency
4 kHz BW
4 kHz BW
7.61 MHz
DVB--T (8k OFDM)
64 QAM Data Carrier Modulation, 5 Symbols
Figure 9. Source Peak- -Average DVB- (8k OFDM)
-to-
-T
Figure 10. DVB- (8k OFDM) Spectrum
-T
G
ps
, POWER GAIN (dB)
V
DD
= 50 Vdc, I
DQ
= 1400 mA
f = 860 MHz, DVB--T (8k OFDM)
35
64 QAM Data Carrier Modulation
5 Symbols
30
25
20
15
10
20
40
ACPR
η
D
--56
--58
--60
--62
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
G
ps
--64
--66
--68
200
40
60
80
100
120
140
160
180
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 11. Single-
-Carrier DVB- (8k OFDM) Drain
-T
Efficiency, Power Gain and ACPR versus Output Power
MRFE6VP8600HR6 MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HSR6 MRFE6VP8600HSR5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
7
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dBc)