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    A01TKLC 参数 Datasheet PDF下载

    A01TKLC图片预览
    型号： A01TKLC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET [RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 20 页 / 1270 K
    品牌： FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
     浏览型号A01TKLC的Datasheet PDF文件第1页浏览型号A01TKLC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号A01TKLC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号A01TKLC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号A01TKLC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号A01TKLC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号A01TKLC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号A01TKLC的Datasheet PDF文件第9页  
    Table 4. Electrical Characteristics
    (T
    A
    = 25°C unless otherwise noted)
    (continued)
    Characteristic
    Symbol
    Min
    Typ
    Max
    Unit
    Typical DVB- (8k OFDM) Performance
    (In Freescale Narrowband Test Fixture, 50 ohm system) V
    DD
    = 50 Vdc, I
    DQ
    = 1400 mA, f = 860 MHz,
    -T
    DVB--T (8k OFDM) Single Channel.
    Output Peak--to--Average Ratio @ 0.01% Probability on CCDF,
    P
    out
    = 125 W Avg.
    Load Mismatch
    VSWR >65:1 at all Phase Angles, 3 dB Overdrive from
    Rated P
    out
    (240 W Avg.)
    PAR
    Ψ
    —
    7.8
    —
    dB
    No Degradation in Output Power
    MRFE6VP8600HR6 MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HSR6 MRFE6VP8600HSR5
    RF Device Data
    Freescale Semiconductor
    3

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