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A01TKLC 参数 Datasheet PDF下载

A01TKLC图片预览
型号: A01TKLC
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内容描述: RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET [RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 20 页 / 1270 K
品牌: FREESCALE [ Freescale ]
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470--860 MHz REFERENCE CIRCUIT  
VDD = 50 Volts, IDQ = 1400 mA, Channel Bandwidth = 8 MHz, Input  
Signal PAR = 9.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF, TC = 50°C.  
Output  
PAR  
(dB)  
IMD  
Shoulder  
(dBc)  
P
(W)  
f
G
η
out  
ps  
D
Signal Type  
(MHz) (dB)  
(%)  
27.2  
30.6  
27.9  
DVB--T (8k OFDM)  
125 Avg.  
470  
650  
860  
19.0  
20.3  
19.0  
8.2  
7.6  
7.7  
--31.1  
--30.3  
--30.4  
C17  
C16  
R1  
C2  
C19  
C1  
C18  
L1  
COAX3  
C31  
COAX1  
C3  
C20  
C22*  
C33*  
C12*  
C10  
C21*  
C28*  
C27*  
C8  
C6  
C23*  
C25*  
C36  
C32  
C4  
C5  
C34  
C26*  
C29*  
C24*  
C7  
C30*  
C9*  
C11*  
C35  
COAX4  
Q1  
C15  
COAX2  
MRFE6VP8600H  
Rev. 1  
L2  
C39  
C40  
C13  
C14  
R2  
C37  
C38  
*C9, C11, C12, C21, C22, C23, C24, C25, C26, C27, C28, C29, C30 and C33 are mounted vertically.  
Figure 14. MRFE6VP8600HR6(HSR6) Broadband Test Circuit Component Layout — 470--860 MHz  
MRFE6VP8600HR6 MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HSR6 MRFE6VP8600HSR5  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor  
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