NDS0610 参数 Datasheet PDF下载

型号：	NDS0610
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内容描述：	P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小：	13 页 / 553 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

典型电气特性

（续）

漏源击穿电压（ V）

1 .15

1 .5

-I

，反向漏电流（ A）

= -10µA

1 .1

= 0V

归一化

1 .05

0 .5

TJ = 125°C

0 .3

-5 5

0 .2

0 .95

0 .9

-50

-25

100

，结温（ ° C）

125

150

0 .1

0 .6

0 .8

1 .2

1 .4

1 .6

-V

，体二极管FORW一个RD电压（V ）

1 .8

图7.击穿电压变化与

温度

图8.体二极管正向电压

变化与电流和温度

-10

ç国际空间站

，栅源电压（V ）

-8

= -12V

电容（pF）

-24

-4 8

-6

ç OSS

-4

F = 1 MHz的

0 .1

ç RSS

-2

= 0V

0 .2

0 .5

-V

， DRA IN至源极电压（ V）

= -0.5A

0 .2

0 .4

0 .6

0 .8

，栅极电荷（ NC）

1 .2

1 .4

1 .6

图9.电容特性

图10.栅极电荷特性

0 .4

，跨导（ SIEM ENS ）

T J = -55°C

0 .3

125

0 .2

0 .1

= -10V

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1

，漏电流（ A）

-1.2

-1.4

图11.跨导变化与漏

电流和温度

NDS0610.SAM

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