NDS0610 参数 Datasheet PDF下载

型号：	NDS0610
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内容描述：	P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小：	13 页 / 553 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

典型电气特性

-1.4

， DRA在源极电流（A ）

= -10V

-1.2

-1

-0.8

-0.6

-9

DRA IN- SOURCE ON -RESISTANCE

2.2

-8

-7

DS （ ON）

归一化

= -4V

-5

1.8

1.6

1.4

1.2

0.8

-6

-7

-8

-9

-10

-6

-5

-0.4

-0.2

-2

-4

-6

-8

，漏源电压（V ）

-10

-4

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1

， DRA电流（ A）

-1.2

-1.4

图1.区域特征

图2.导通电阻变化与门

电压和漏极电流

1.8

漏源-RESISTANCE

漏源导通电阻

1.6

= -0.5A

TJ = 125°C

2 .5

-4.5V

-10V

DS （ ON）

，范数LIZED

= -10V

DS （ ON）

归一化

1.4

-55

125

1.2

1 .5

0.8

-55

0 .5

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1

，漏电流（ A）

-1.2

-1.4

0.6

-5 0

-25

100

，结温（ ° C）

125

150

图3.导通电阻变化

随温度

图4.导通电阻变化与漏

电流和温度

-1.2

1 .1

= -10V

-1

， DRA电流（ A）

TJ = -55°C

125

归一化

门源阈值电压

= V

= -1m一

1 .05

-0.8

-0.6

0 .95

-0.4

0 .9

-0.2

0 .85

-2

-4

-6

-8

，门源电压（ V）

-10

0 .8

-50

-25

100

，结tem温度（ ° C）

125

150

图5.传输特性

图6.门阈值变化与

温度

NDS0610.SAM

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